1.1 Boost 拓扑高频发波与能流逻辑 (CCM 模式)
设定占空比为 $D = \frac{T_{on}}{T_s}$。在一个开关周期 $T_s$ 内,其状态分为如下两个阶段:
状态 1: 开关管导通 (时间 $T_{on} = D \cdot T_s$)
SW 导通
D1 截止
能流激磁路径: 储能电感充电。
Vin+ → 电感 L1 → SW → Vin-。
状态 2: 开关管关断 (时间 $T_{off} = (1-D) \cdot T_s$)
SW 截止
D1 导通
能流续流路径: 输入源与电感共同向输出供电。
Vin+ → 电感 L1 → D1 → Cout → Vin-。